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15342011679

发布于2020-04-02 15:38:55

氮化镓个股异动航天发展触及涨停今日走势：航天发展今日触及涨停板，该股近一年涨停5

氮化镓个股异动航天发展触及涨停今日走势：航天发展今日触及涨停板，该股近一年涨停5次。异动原因揭秘：氮化镓芯片的生产与研发是旗下微系统研究院的主要业务之一。后市分析：该股今日触及涨停，后市或有继续冲高动能。转载自: 000547股吧 http://000547.h0.cn

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1534226487404-02 16:13

清仓了就涨停[好困惑]

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1534328339504-02 16:05

结语最后我们来看看，现在什么是氮化镓（GaN）器件发展道路上的“拦路虎”呢？影响最大的就是：价格。回顾前两代半导体的演进发展过程，任何一代半导体技术从实验室走向市场，都面临商用化的挑战。目前GaN也处于这一阶段，成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等，而走向平民化，而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件。随着第三代半导体的普及临近，也让我们有幸见证这一刻的到来。文稿来源：电子产品世界

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1534322378704-02 16:02

GaN在国防工业中的应用前景也很广阔，美国的大型国防合约商雷神公司宣布将开始在新生产的Guidance Enhanced Missile-TBM（GEM-T）拦截器中使用GaN计算机芯片，以取代目前在导弹发射器中使用的行波管（TWT），希望通过使用GaN芯片升级GEM-T的发射器，提高拦截器的可靠性和效率。此外，在新生产导弹中过渡到GaN意味着发射器不需要在拦截器的使用寿命期间更换。雷神公司的GEM-T导弹是美国陆军爱国者空中和导弹防御系统的支柱，于对付飞机和战术弹道导弹和巡航导弹。发射器将导弹与地面系统连接起来，使其能够在飞行过程中控制武器，GEM-T中的GaN发射器使用固态而不是传统的行波管设计。新发射器具有与旧发射器相同的外形和功能，不需要额外的冷却，并且可以在通电几秒钟内运行。这意味着采用新型GaN发射器的GEM-T将能够继续在最苛刻的条件下运行。这种发射器技术也可能会在其他导弹上看到其他测试。美国陆军表示有兴趣用这些类型的发射器取代整个库存，在GEM-T计划中采用这些发射器能够将修复成本降低36％。

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1534313438604-02 16:01

GaN技术在LiDAR系统中发挥非常重要的作用，相较MOSFET器件而言，开关速度快十倍，使得LiDAR系统具备优越的解像度及更快速反应时间等优势，由于可实现优越的开关转换，因此可推动更高准确性。这些性能推动全新及更广阔的LiDAR应用领域的出现包括支持电玩应用的侦测实时动作、以手势驱动指令的计算机及自动驾驶汽车等应用。

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1534293401504-02 16:01

除了基站射频收发单元陈列中所需的射频器件数量大为增加，基站密度和基站数量也会大为增加，因此相比3G、4G时代，5G时代的射频器件将会以几十倍、甚至上百倍的数量增加，因此成本的控制非常关键，而硅基氮化镓在成本上具有巨大的优势，随着硅基氮化镓技术的成熟，它能以最大的性价比优势取得市场的突破。同时在5G毫米波应用上，GaN的高功率密度特性在实现相同覆盖条件及用户追踪功能下，可有效减少收发通道数及整体方案的尺寸，实现性能成本的最优化组合。

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1534289266804-02 16:00

随着用户对充电器通用性、便携性的需求提高，未来GaN快充市场规模将快速上升，预计2020年全球GaN充电器市场规模为23亿元，2025年将快速上升至638亿元，5年复合年均增长率高达94％。值得一提的是，在这样的市场趋势下，一些重要的半导体行业也大举切入到GaN市场。GaN不仅仅只在充电器领域，凭借GaN的功率性能、频率性能以及优秀散热性能，它还可用于5G基站、自动驾驶、军用雷达等众多功率和频率有较高要求的场。

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1534059351404-02 15:59

随着GaN技术获得突破，成本得到控制，除了射频微波领域，它还被广泛应用到了消费类电子等领域，其中快速充电器便是一例。采用了GaN功率器件的充电器最直观的感受就是体积小、重量轻，在发热量、效率转换上相比普通充电器也有更大的优势，大大的提升了用户的使用体验。 2018年10月，ANKER发布了全球首款USB PD GaN充电器PowerPort Atom PD1，和苹果5W充电器差不多的体积却能输出高达27W的功率，吸足眼球。随后，除了专门生产充电头的厂商，不少消费电子厂商也盯上了GaN充电技术。去年10月发布的OPPO Reno Ace中，就标配了一个GaN充电器，可以实现65W的超级闪充，成为全球首款标配GaN充电器的手机。

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1534235250104-02 15:58

GaN在电源管理、发电和功率输出方面具有明显的技术优势。在600伏特左右电压下，其在芯片面积、电路效率和开关频率方面明显优于硅，这使电源产品更为轻薄、高效。并且，GaN充电器体积小、功率高、支持PD协议，有望在未来统一笔电和手机的充电器市场，市场前景广阔。Yole预计2024年GaN电源市场产值将超过3.5亿美元，年复合成长率达85%，当中，GaN快充是推动产业高成长的主要力量。

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1534197404304-02 15:58

氮化镓（GaN）具有更高的击穿电压(使用GaN时大于200V)，能够承受高的输入/输出错配(通常＞15：1VSWR)，具有更高的结温，平均无故障时间为一百万个小时。此外，它还具有热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。

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1534393431904-02 15:57

不止于充电领域，氮化镓（GaN）拥有广阔天地 2020-04-02 12:36 GaN是一种新型的半导体材料，中文名为氮化镓，英文名称是 Gallium nitride。它是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（Direct Bandgap）的半导体，也是一种宽禁带半导体材料。与碳化硅（SiC）一起被成为“第三代半导体材料”，而第三代半导体材料正凭借其优越的性能和巨大的市场前景，成为全球半导体市场争夺的焦点。

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